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元器件采购网 > S-456页 > FET - 单SIA810DJ-T1-E3

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SIA810DJ-T1-E3

PowerPAK? SC-70-6 双 Vishay Siliconix 168 鐢佃瘽锛�0755-83217923
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SIA810DJ-T1-E3参数
产品类别:分立半导体产品-FET - 单
说明:MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6
包装数量:1
包装形式:
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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:二极管(隔离式)
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):53 毫欧 @ 3.7A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11.5nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):400pF @ 10V
功率 - 最大值:6.5W
安装类型:表面贴装

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